ACERDE se distingue par une maitrise et une expertise unique de la croissance de matériaux spécifique  (advanced ceramic materials),  par la technique de dépôt en phase vapeur à haute température HTCVD (High Temperature Chemical Vapor Deposition).

Ce savoir-faire permet la croissance de couches de quelques microns, jusqu'à l'élaboration de matériaux massifs.

Ainsi, pour vos projets, ACERDE vous propose la mise en oeuvre des matériaux suivants :

Carbure de Silicium (SiC),
Nitrure et Carbure de Titane (TiN and TiC),
Nitrure de Bore (BN),
Nitrure d'Aluminium (AlN),
Tantale (Ta),
Carbure de Tantale (TaC),
Tungstène (W),
Carbure de Tungstène (WC), 
Rhénium (Re)
Phase MAX comme Ti₃SiC₂.

Depuis sa création, ACERDE mise sur une importante activité de R et D pour développer de nouveau produits et de nouvelles applications en collaboration avec ses différents clients.

Pour mener à bien ce type d'activité, ACERDE a su attirer en son sein une équipe performante d'ingénieurs et de docteurs, s'appuie sur son comité d'experts scientifiques et stratégiques et a su s'entourer de partenaires reconnus au niveau mondial.

Les solutions développées et proposées par ACERDE ont pu apporter des améliorations significatives et des solutions pertinentes aux problématiques rencontrées par ses clients. Elles ont été accueillies favorablement dans de nombreux domaines, comme le médical, le nucléaire et la microélectronique.

Des exemples ?

- Ainsi, les performances des couches à bases de tungstène déposées sur des substrats Carbone-Carbone ont permis à ACERDE de se positionner comme fabricant d'anodes pour tube à rayon X : l'application directe est l'imagerie médicale (scanner).

- Dans le cadre de problématiques de résistance à la corrosion ou à l'usure, de tenue au stress (mécanique ou thermique) et pour des problématiques de tenue sous irradiation, ACERDE a su apporter des réponses par la mise en oeuvre de matériaux appropriés.

- Enfin, dans le secteur de la micro-électronique, ACERDE a montré son aptitude à fournir des mono-cristaux d'AlN utilisable pour la production de diodes UV profonds.